WEKO3
アイテム
フォトルミネッセンス法及び赤外吸収法によるシリコン結晶中の微小欠陥に関する研究
https://doi.org/10.11501/3127364
https://doi.org/10.11501/31273647516214b-0d86-4c2b-845a-c311702aa79a
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
111826.pdf (7.9 MB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2017-01-13 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | フォトルミネッセンス法及び赤外吸収法によるシリコン結晶中の微小欠陥に関する研究 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | シリコン | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| タイプ | thesis | |||||
| ID登録 | ||||||
| ID登録 | 10.11501/3127364 | |||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||
| 著者 |
濱田, 基嗣
× 濱田, 基嗣 |
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| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 17770 | |||||
| 姓名 | Hamada, Mototsugu | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 著者所属 | 東京大学大学院工学系研究科 電子工学専攻 | |||||
| 書誌情報 | 発行日 1996-03-29 | |||||
| 日本十進分類法 | ||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||
| 主題 | 549.8 | |||||
| 学位名 | ||||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||
| 学位 | ||||||
| 値 | doctoral | |||||
| 学位分野 | ||||||
| Engineering (工学) | ||||||
| 学位授与機関 | ||||||
| 学位授与機関名 | University of Tokyo (東京大学) | |||||
| 研究科・専攻 | ||||||
| Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering (工学系研究科電子工学専攻) | ||||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 1996-03-29 | |||||
| 学位授与番号 | ||||||
| 学位授与番号 | 甲第11826号 | |||||
| 学位記番号 | ||||||
| 博工第3624号 | ||||||
