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  1. 122 新領域創成科学研究科
  2. 11 基盤科学研究系 物質系専攻
  3. 1221125 修士論文(基盤科学研究系物質系専攻)
  1. 0 資料タイプ別
  2. 20 学位論文
  3. 025 修士論文

酸化物電界効果トランジスタにおけるDyscO3ゲート絶縁膜の誘電特性

http://hdl.handle.net/2261/25680
http://hdl.handle.net/2261/25680
7b552da9-6d88-4a3f-9df4-1a925167cad8
名前 / ファイル ライセンス アクション
K-01567.pdf 本文(fulltext) (5.6 MB)
K-01567-a.pdf 要旨(summary) (398.6 kB)
Item type 学位論文 / Thesis or Dissertation(1)
公開日 2011-08-08
タイトル
タイトル 酸化物電界効果トランジスタにおけるDyscO3ゲート絶縁膜の誘電特性
言語
言語 jpn
キーワード
主題Scheme Other
主題 Oxide electronics
キーワード
主題Scheme Other
主題 Dielectric properties
キーワード
主題Scheme Other
主題 Trapped charge
資源タイプ
資源 http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec
タイプ thesis
その他のタイトル
その他のタイトル Dielectric characterization of DyScO3 gate stacks of oxide field-effect transistors
著者 安部, 拓也

× 安部, 拓也

WEKO 5439

安部, 拓也

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著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 5440
姓名 Abe, Takuya
著者所属
著者所属 東京大学大学院新領域創成科学研究科 基盤科学研究系物質系専攻
書誌情報 発行日 2009-03-23
学位名
学位名 修士(科学)
学位
値 master
研究科・専攻
新領域創成科学研究科物質系専攻
学位授与年月日
学位授与年月日 2009-03-23
学位記番号
修創域第2752号
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Ver.1 2021-03-02 08:17:29.743368
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