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インデックス
0 資料タイプ別
20 学位論文
025 修士論文
122 新領域創成科学研究科
11 基盤科学研究系 物質系専攻
1221125 修士論文（基盤科学研究系物質系専攻）
Permalink : http://hdl.handle.net/2261/25680
酸化物電界効果トランジスタにおけるDyscO3ゲート絶縁膜の誘電特性
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本文(fulltext)
本文(fulltext) (5.61MB)
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要旨(summary)
要旨(summary) (398.58KB)
[ 11 downloads ]
アイテムタイプ
学位論文 / Thesis or Dissertation
言語
日本語
キーワード
Oxide electronics, Dielectric properties, Trapped charge
その他のタイトル
Dielectric characterization of DyScO3 gate stacks of oxide field-effect transistors
著者
安部 拓也
著者別名
Abe Takuya
著者所属
東京大学大学院新領域創成科学研究科 基盤科学研究系物質系専攻
発行年
2009-03-23
学位名
修士(科学)
学位
master
研究科・専攻
新領域創成科学研究科物質系専攻
学位授与年月日
2009-03-23
学位記番号
修創域第2752号
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酸化物電界効果トランジスタにおけるDyscO3ゲート絶縁膜の誘電特性
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