ログイン
言語:

WEKO3

  • トップ
  • ランキング
To
lat lon distance
To

Field does not validate



インデックスリンク

インデックスツリー

メールアドレスを入力してください。

WEKO

One fine body…

WEKO

One fine body…

アイテム

  1. 113 工学系研究科・工学部
  2. 21 電子工学専攻
  3. 1132225 修士論文(電子工学専攻)
  1. 0 資料タイプ別
  2. 20 学位論文
  3. 025 修士論文

完全空乏型SOI MOSFETにおけるシングル・イベント・トランジェントパルスの解析

http://hdl.handle.net/2261/43701
http://hdl.handle.net/2261/43701
f86df17d-83a5-4a51-858e-e56ba58001a7
名前 / ファイル ライセンス アクション
37046379.pdf 37046379.pdf (634.1 kB)
Item type 学位論文 / Thesis or Dissertation(1)
公開日 2011-08-08
タイトル
タイトル 完全空乏型SOI MOSFETにおけるシングル・イベント・トランジェントパルスの解析
言語
言語 jpn
キーワード
主題Scheme Other
主題 SOI
キーワード
主題Scheme Other
主題 Single Event Transient
資源タイプ
資源 http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec
タイプ thesis
その他のタイトル
その他のタイトル Analysis of Single Event Transient Pulses of a Fully-Depleted SOI MOSFET
著者 会見, 真宏

× 会見, 真宏

WEKO 5534

会見, 真宏

Search repository
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 5535
姓名 Aimi, Masahiro
著者所属
著者所属 東京大学大学院工学系研究科 電子工学専攻
著者所属
著者所属 Department of Electronic Engineering, The University of Tokyo
Abstract
内容記述タイプ Abstract
内容記述 近年,宇宙放射線や中性子線が引き起こすソフトエラーの一種である,シングル・イベント・トランジェント(Single Event Transient、以下SET) が問題視されている.SET とは,高エネルギー荷電粒子がデバイスに入射することで生じる電流(電圧)パルスである.論理回路中を伝播して誤動作を引き起こすため,その対策が急務となっている.一方,SOI デバイスは,埋め込み酸化膜が存在し、イオン化放射の影響を受ける体積が少ないため、ソフトエラー対策に有効なデバイスとして知られている。しかし、そのSET 特性は未だ明らかにされていない部分が多い.そこで,我々が開発している耐放射線完全空乏型SOI MOSFETにおけるSET パルスの解析をシミュレーションにより行った.
書誌情報 発行日 2006-02-03
学位名
学位名 修士(工学)
学位
値 master
研究科・専攻
工学系研究科電子工学専攻
学位授与年月日
学位授与年月日 2006-03
戻る
0
views
See details
Views

Versions

Ver.1 2021-03-02 08:16:02.994642
Show All versions

Share

Mendeley Twitter Facebook Print Addthis

Cite as

エクスポート

OAI-PMH
  • OAI-PMH JPCOAR 2.0
  • OAI-PMH JPCOAR 1.0
  • OAI-PMH DublinCore
  • OAI-PMH DDI
Other Formats
  • JSON
  • BIBTEX

Confirm


Powered by WEKO3


Powered by WEKO3