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完全空乏型SOI MOSFETにおけるシングル・イベント・トランジェントパルスの解析
http://hdl.handle.net/2261/43701
f86df17d-83a5-4a51-858e-e56ba58001a7
名前 / ファイル | ライセンス | アクション | |
---|---|---|---|
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|
Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
公開日 | 2011-08-08 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 完全空乏型SOI MOSFETにおけるシングル・イベント・トランジェントパルスの解析 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
キーワード | ||||||
主題 | SOI | |||||
主題Scheme | Other | |||||
キーワード | ||||||
主題 | Single Event Transient | |||||
主題Scheme | Other | |||||
資源タイプ | ||||||
資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
タイプ | thesis | |||||
その他のタイトル | ||||||
その他のタイトル | Analysis of Single Event Transient Pulses of a Fully-Depleted SOI MOSFET | |||||
著者 |
会見, 真宏
× 会見, 真宏 |
|||||
著者別名 | ||||||
識別子 | ||||||
識別子 | 5535 | |||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
姓名 | ||||||
姓名 | Aimi, Masahiro | |||||
著者所属 | ||||||
著者所属 | 東京大学大学院工学系研究科 電子工学専攻 | |||||
著者所属 | ||||||
著者所属 | Department of Electronic Engineering, The University of Tokyo | |||||
Abstract | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | 近年,宇宙放射線や中性子線が引き起こすソフトエラーの一種である,シングル・イベント・トランジェント(Single Event Transient、以下SET) が問題視されている.SET とは,高エネルギー荷電粒子がデバイスに入射することで生じる電流(電圧)パルスである.論理回路中を伝播して誤動作を引き起こすため,その対策が急務となっている.一方,SOI デバイスは,埋め込み酸化膜が存在し、イオン化放射の影響を受ける体積が少ないため、ソフトエラー対策に有効なデバイスとして知られている。しかし、そのSET 特性は未だ明らかにされていない部分が多い.そこで,我々が開発している耐放射線完全空乏型SOI MOSFETにおけるSET パルスの解析をシミュレーションにより行った. | |||||
書誌情報 | 発行日 2006-02-03 | |||||
学位名 | ||||||
学位名 | 修士(工学) | |||||
学位 | ||||||
値 | master | |||||
研究科・専攻 | ||||||
工学系研究科電子工学専攻 | ||||||
学位授与年月日 | ||||||
学位授与年月日 | 2006-03 |