WEKO3
アイテム
完全空乏型SOI MOSFETにおけるシングル・イベント・トランジェントパルスの解析
http://hdl.handle.net/2261/43701
http://hdl.handle.net/2261/43701f86df17d-83a5-4a51-858e-e56ba58001a7
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
37046379.pdf (634.1 kB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2011-08-08 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 完全空乏型SOI MOSFETにおけるシングル・イベント・トランジェントパルスの解析 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | SOI | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Single Event Transient | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| タイプ | thesis | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Analysis of Single Event Transient Pulses of a Fully-Depleted SOI MOSFET | |||||
| 著者 |
会見, 真宏
× 会見, 真宏 |
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| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 5535 | |||||
| 姓名 | Aimi, Masahiro | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 著者所属 | 東京大学大学院工学系研究科 電子工学専攻 | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 著者所属 | Department of Electronic Engineering, The University of Tokyo | |||||
| Abstract | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 近年，宇宙放射線や中性子線が引き起こすソフトエラーの一種である，シングル・イベント・トランジェント(Single Event Transient、以下SET) が問題視されている．SET とは，高エネルギー荷電粒子がデバイスに入射することで生じる電流（電圧）パルスである．論理回路中を伝播して誤動作を引き起こすため，その対策が急務となっている．一方，SOI デバイスは，埋め込み酸化膜が存在し、イオン化放射の影響を受ける体積が少ないため、ソフトエラー対策に有効なデバイスとして知られている。しかし、そのSET 特性は未だ明らかにされていない部分が多い．そこで，我々が開発している耐放射線完全空乏型SOI MOSFETにおけるSET パルスの解析をシミュレーションにより行った． | |||||
| 書誌情報 | 発行日 2006-02-03 | |||||
| 学位名 | ||||||
| 学位名 | 修士(工学) | |||||
| 学位 | ||||||
| 値 | master | |||||
| 研究科・専攻 | ||||||
| 工学系研究科電子工学専攻 | ||||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 2006-03 | |||||
