完全空乏型SOI MOSFETにおけるシングル・イベント・トランジェントパルスの解析

会見, 真宏

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完全空乏型SOI MOSFETにおけるシングル・イベント・トランジェントパルスの解析

http://hdl.handle.net/2261/43701

	名前 / ファイル	ライセンス	アクション
	37046379.pdf (634.1 kB)

Item type

学位論文 / Thesis or Dissertation(1)

公開日

2011-08-08

タイトル

完全空乏型SOI MOSFETにおけるシングル・イベント・トランジェントパルスの解析

言語

jpn

キーワード

主題

SOI

主題Scheme

Other

キーワード

主題

Single Event Transient

主題Scheme

Other

資源タイプ

資源

http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec

タイプ

thesis

その他のタイトル

Analysis of Single Event Transient Pulses of a Fully-Depleted SOI MOSFET

著者

会見, 真宏

著者別名

識別子

5535

識別子Scheme

WEKO

姓名

Aimi, Masahiro

著者所属

東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻

著者所属

Department of Electronic Engineering, The University of Tokyo

Abstract

内容記述タイプ

Abstract

内容記述

近年，宇宙放射線や中性子線が引き起こすソフトエラーの一種である，シングル・イベント・トランジェント(Single Event Transient、以下SET) が問題視されている．SET とは，高エネルギー荷電粒子がデバイスに入射することで生じる電流（電圧）パルスである．論理回路中を伝播して誤動作を引き起こすため，その対策が急務となっている．一方，SOI デバイスは，埋め込み酸化膜が存在し、イオン化放射の影響を受ける体積が少ないため、ソフトエラー対策に有効なデバイスとして知られている。しかし、そのSET 特性は未だ明らかにされていない部分が多い．そこで，我々が開発している耐放射線完全空乏型SOI MOSFETにおけるSET パルスの解析をシミュレーションにより行った．

書誌情報

発行日 2006-02-03

学位名

修士(工学)

学位

値

master

研究科・専攻

工学系研究科電子工学専攻

学位授与年月日

2006-03

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2021-03-02 08:16:02.994642

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