WEKO3
アイテム
二段階成長マイクロチャンネルエピタキシーによるSi基板上のIII-V-OI(III-V on insulator) 構造の作製
http://hdl.handle.net/2261/20191
http://hdl.handle.net/2261/20191dadbb128-a8d9-4382-b805-c4ed54eb2ae8
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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要旨(summary) (57.1 kB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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| 公開日 | 2011-08-08 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 二段階成長マイクロチャンネルエピタキシーによるSi基板上のIII-V-OI(III-V on insulator) 構造の作製 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| タイプ | thesis | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Fabrication of III-V-OI (III-V on insulator) structures on Si substrates by two step micro -channel epitaxy | |||||
| 著者 |
七条, 真人
× 七条, 真人 |
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| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 4814 | |||||
| 姓名 | Shichijo, Masato | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 著者所属 | 新領域創成科学研究科 基盤科学研究系 基盤情報学専攻 | |||||
| 書誌情報 | 発行日 2007-03-22 | |||||
| 学位名 | ||||||
| 学位名 | 修士(科学) | |||||
| 学位 | ||||||
| 値 | master | |||||
| 研究科・専攻 | ||||||
| 新領域創成科学研究科基盤情報学専攻 | ||||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 2007-03-22 | |||||
| 学位記番号 | ||||||
| 修創域第2025号 | ||||||
