WEKO3
アイテム
MOVPE法における新規in situパッシベーションの開発によるn-GaAs MOSの界面準位低減
http://hdl.handle.net/2261/43536
http://hdl.handle.net/2261/43536fb218b0a-e938-4ad4-a1bf-525703f32c3d
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
37086499.pdf (11.4 MB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2011-08-08 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | MOVPE法における新規in situパッシベーションの開発によるn-GaAs MOSの界面準位低減 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| タイプ | thesis | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Suppression of n-GaAs MOS interface state density by the development of novel in situ passivation with MOVPE | |||||
| 著者 |
寺田, 雄紀
× 寺田, 雄紀 |
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| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 5864 | |||||
| 姓名 | Terada, Yuki | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 著者所属 | 東京大学大学院工学系研究科 電気系工学専攻 | |||||
| 書誌情報 | 発行日 2010-03-24 | |||||
| 日本十進分類法 | ||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||
| 主題 | 540 | |||||
| 学位名 | ||||||
| 学位名 | 修士(工学) | |||||
| 学位 | ||||||
| 値 | master | |||||
| 研究科・専攻 | ||||||
| 工学系研究科電気系工学専攻 | ||||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 2010-03-24 | |||||
