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  1. 134 生産技術研究所
  2. 生産研究
  3. 37
  4. 11
  1. 0 資料タイプ別
  2. 30 紀要・部局刊行物
  3. 生産研究
  4. 37
  5. 11

特集9 : 研究速報 : 分子線エピタキシーによる GaAs-AlAs超薄膜へテロ構造における単原子スケールの界面凹凸とその平坦化

http://hdl.handle.net/2261/39179
http://hdl.handle.net/2261/39179
70c94c9c-ac66-46db-a0e2-3316e920a303
名前 / ファイル ライセンス アクション
sk037011011.pdf sk037011011.pdf (303.3 kB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2010-12-20
タイトル
タイトル 特集9 : 研究速報 : 分子線エピタキシーによる GaAs-AlAs超薄膜へテロ構造における単原子スケールの界面凹凸とその平坦化
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
タイプ departmental bulletin paper
その他のタイトル
その他のタイトル One Atomic Layer GaAs-AIAs Heterointerface Fluctuations and Their Suppression by Insertion of Smoothing Period in Molecular Beam Epitaxy
著者 田中, 雅明

× 田中, 雅明

WEKO 38694

田中, 雅明

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榊, 裕之

× 榊, 裕之

WEKO 38695

榊, 裕之

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吉野, 淳二

× 吉野, 淳二

WEKO 38696

吉野, 淳二

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著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 38697
姓名 TANAKA, Masaaki
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 38698
姓名 SAKAKI, Hiroyuki
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 38699
姓名 YOSHINO, Junji
著者所属
著者所属 東京大学生産技術研究所第3部 電子工学
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 特集 生産・加エシステムの最適化
書誌情報 生産研究

巻 37, 号 11, p. 477-480, 発行日 1985-11-01
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0037105X
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AN00127075
日本十進分類法
主題Scheme NDC
主題 500
出版者
出版者 東京大学生産技術研究所
出版者別名
Institute of Industrial Science, the University of Tokyo
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Ver.1 2021-03-02 04:00:37.294254
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