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特集9 : 研究速報 : 分子線エピタキシーによる GaAs-AlAs超薄膜へテロ構造における単原子スケールの界面凹凸とその平坦化
http://hdl.handle.net/2261/39179
http://hdl.handle.net/2261/3917970c94c9c-ac66-46db-a0e2-3316e920a303
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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sk037011011.pdf (303.3 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2010-12-20 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 特集9 : 研究速報 : 分子線エピタキシーによる GaAs-AlAs超薄膜へテロ構造における単原子スケールの界面凹凸とその平坦化 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | One Atomic Layer GaAs-AIAs Heterointerface Fluctuations and Their Suppression by Insertion of Smoothing Period in Molecular Beam Epitaxy | |||||
| 著者 |
田中, 雅明
× 田中, 雅明× 榊, 裕之× 吉野, 淳二 |
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| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 38697 | |||||
| 姓名 | TANAKA, Masaaki | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 38698 | |||||
| 姓名 | SAKAKI, Hiroyuki | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 38699 | |||||
| 姓名 | YOSHINO, Junji | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 著者所属 | 東京大学生産技術研究所第3部 電子工学 | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 特集 生産・加エシステムの最適化 | |||||
| 書誌情報 |
生産研究 巻 37, 号 11, p. 477-480, 発行日 1985-11-01 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0037105X | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00127075 | |||||
| 日本十進分類法 | ||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||
| 主題 | 500 | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 東京大学生産技術研究所 | |||||
| 出版者別名 | ||||||
| Institute of Industrial Science, the University of Tokyo | ||||||
