WEKO3
アイテム
Study on effects of mechanical strain and MOS interface formation process on the characteristics of 4H-SiC MOSFET
https://doi.org/10.15083/0002012837
https://doi.org/10.15083/00020128370df678ad-4c70-4dd2-a5f8-a5e6d384c318
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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| アイテムタイプ | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||||
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| 公開日 | 2025-03-28 | |||||||
| タイトル | ||||||||
| タイトル | Study on effects of mechanical strain and MOS interface formation process on the characteristics of 4H-SiC MOSFET | |||||||
| 言語 | en | |||||||
| 言語 | ||||||||
| 言語 | eng | |||||||
| 資源タイプ | ||||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||||
| タイプ | doctoral thesis | |||||||
| ID登録 | ||||||||
| ID登録 | 10.15083/0002012837 | |||||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||||
| アクセス権 | ||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||
| その他のタイトル | ||||||||
| その他のタイトル | 機械的歪みおよびMOS界面形成プロセスが4H-SiC MOSFET特性に与える影響の研究 | |||||||
| 言語 | ja | |||||||
| 著者 |
褚, 喬
× 褚, 喬
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| 著者別名 | ||||||||
| 姓名 | CHU, Qiao | |||||||
| 言語 | en | |||||||
| 所属機関名 | The University of Tokyo | |||||||
| 言語 | en | |||||||
| 著者所属 | ||||||||
| 言語 | ja | |||||||
| 著者所属 | 工学系研究科マテリアル工学専攻 | |||||||
| 内容記述 | ||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||
| 内容記述 | 学位の種別:課程博士|審査委員会委員 : (主査)東京大学教授 喜多 浩之, 東京大学教授 内田 建, 東京大学教授 長汐 晃輔, 東京大学教授 近藤 高志, 産業総合研究所主任研究員 染谷 満 | |||||||
| 言語 | ja | |||||||
| bibliographic_information |
発行日 2024-03-21 |
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| 学位名 | ||||||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||||
| 言語 | ja | |||||||
| 学位授与機関 | ||||||||
| 学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||||
| 学位授与機関識別子 | 12601 | |||||||
| 学位授与機関名 | 東京大学 | |||||||
| 言語 | ja | |||||||
| 学位授与機関名 | The University of Tokyo | |||||||
| 言語 | en | |||||||
| item_7_text_24 | ||||||||
| Department of Materials Engineering, Graduate School of Engineering (工学系研究科マテリアル工学専攻) | ||||||||
| 学位授与年月日 | ||||||||
| 学位授与年月日 | 2024-03-21 | |||||||
| dissertation_number | ||||||||
| 学位授与番号 | 甲第41451号 | |||||||
| item_7_text_27 | ||||||||
| ja | ||||||||
| 博工第10928号 | ||||||||
| 出版タイプ | ||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||