WEKO3
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研究解説 : 化合物半導体の表面不活性化技術
http://hdl.handle.net/2261/35128
http://hdl.handle.net/2261/351284349738d-501f-4b91-a8ea-53e27d847131
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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公開日 | 2010-04-07 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 研究解説 : 化合物半導体の表面不活性化技術 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
タイプ | departmental bulletin paper | |||||
その他のタイトル | ||||||
その他のタイトル | Surface Passivation Techniques for Compound Semiconductors | |||||
著者 |
横溝, 氾
× 横溝, 氾× 徳田, 博邦× 安達, 芳夫× 生駒, 俊明 |
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著者別名 | ||||||
識別子 | 109101 | |||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
姓名 | YOKOMIZO, Hiroshi | |||||
著者別名 | ||||||
識別子 | 109102 | |||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
姓名 | TOKUDA, Hirokuni | |||||
著者別名 | ||||||
識別子 | 109103 | |||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
姓名 | ADACHI, Yoshio | |||||
著者別名 | ||||||
識別子 | 109104 | |||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
姓名 | IKOMA, Toshiaki | |||||
著者所属 | ||||||
著者所属 | 東京大学生産技術研究所 第3部 半導体電子工学 | |||||
著者所属 | ||||||
著者所属 | 東京大学大学院 電子工学 | |||||
抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | GaAsあるいはGaP等の化合物半導体は,その電子的性質にSiにない特徴があり,マイクロ波あるいは光領域の能動素子として注目され,研究が進んでいる.本稿では化合物半導体技術を担う表面不活性化技術の現況を紹介し,著者らの進めている陽極酸化法を概説し,今後の応用と問題点について考える. | |||||
書誌情報 |
生産研究 巻 29, 号 8, p. 413-421, 発行日 1977-08-01 |
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ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
収録物識別子 | 0037105X | |||||
書誌レコードID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AN00127075 | |||||
フォーマット | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | application/pdf | |||||
日本十進分類法 | ||||||
主題 | 500 | |||||
主題Scheme | NDC | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | 東京大学生産技術研究所 | |||||
出版者別名 | ||||||
Institute of Industrial Science. University of Tokyo |