WEKO3
アイテム
RF-MBE法によるYSZ（001）基板上立法晶InN及びInGaNの作製と評価
http://hdl.handle.net/2261/37104
http://hdl.handle.net/2261/37104f40f6dd0-a250-4a54-9764-dc57d372406f
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文(fulltext) (11.8 MB)
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要旨(summary) (2.8 MB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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| 公開日 | 2012-10-12 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | RF-MBE法によるYSZ（001）基板上立法晶InN及びInGaNの作製と評価 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 立方晶窒化物半導体 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | RF-MBE成長 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | YSZ基板 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | InN | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | InGaN | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 立方晶相純度 | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| タイプ | thesis | |||||
| 著者 |
中村, 桂土
× 中村, 桂土 |
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| 著者所属 | ||||||
| 著者所属 | 東京大学大学院新領域創成科学研究科基盤科学研究系物質系専攻 | |||||
| 書誌情報 | 発行日 2010-03-24 | |||||
| 学位名 | ||||||
| 学位名 | 修士(科学) | |||||
| 学位 | ||||||
| 値 | master | |||||
| 研究科・専攻 | ||||||
| 新領域創成科学研究科物質系専攻 | ||||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 2010-03-24 | |||||
| 学位記番号 | ||||||
| 修創域第3213号 | ||||||
