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  1. 113 工学系研究科・工学部
  2. 34 マテリアル工学専攻
  3. 1133420 博士論文(マテリアル工学専攻)
  1. 0 資料タイプ別
  2. 20 学位論文
  3. 021 博士論文

4H-SiC/SiO2熱酸化界面構造の理解とそのプロセス制御によるMOSFET高性能化の研究

https://doi.org/10.15083/00078081
https://doi.org/10.15083/00078081
26f13e1c-1989-4367-82b1-856409445210
名前 / ファイル ライセンス アクション
A34783_summary.pdf A34783_summary.pdf (234.5 kB)
A34783_abstract.pdf A34783_abstract.pdf (211.0 kB)
A34783_review.pdf A34783_review.pdf (183.6 kB)
Item type 学位論文 / Thesis or Dissertation(1)
公開日 2019-09-19
タイトル
タイトル 4H-SiC/SiO2熱酸化界面構造の理解とそのプロセス制御によるMOSFET高性能化の研究
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源 http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec
タイプ thesis
ID登録
ID登録 10.15083/00078081
ID登録タイプ JaLC
著者 平井, 悠久

× 平井, 悠久

WEKO 157690

平井, 悠久

Search repository
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 157691
姓名 Hirai, Hirohisa
著者所属
著者所属 工学系研究科マテリアル工学専攻
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 学位の種別: 課程博士
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 審査委員会委員 : (主査)東京大学准教授 喜多 浩之, 東京大学教授 霜垣 幸浩, 東京大学教授 鳥海 明, 東京大学教授 光田 好孝, 筑波大学准教授 矢野 裕司
書誌情報 発行日 2018-03-22
著者版フラグ
値 none
学位名
学位名 博士(工学)
学位
値 doctoral
学位授与機関
学位授与機関名 University of Tokyo(東京大学)
研究科・専攻
Department of Materials Engineering, Graduate School of Engineering (工学系研究科マテリアル工学専攻)
学位授与年月日
学位授与年月日 2018-03-22
学位授与番号
学位授与番号 12601甲第34783号
学位記番号
博工第9307号
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Ver.1 2021-03-01 12:50:33.268475
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