WEKO3
アイテム
4H-SiC/SiO2熱酸化界面構造の理解とそのプロセス制御によるMOSFET高性能化の研究
https://doi.org/10.15083/00078081
https://doi.org/10.15083/0007808126f13e1c-1989-4367-82b1-856409445210
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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A34783_summary.pdf (234.5 kB)
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A34783_abstract.pdf (211.0 kB)
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A34783_review.pdf (183.6 kB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2019-09-19 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 4H-SiC/SiO2熱酸化界面構造の理解とそのプロセス制御によるMOSFET高性能化の研究 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| 資源タイプ | thesis | |||||
| ID登録 | ||||||
| ID登録 | 10.15083/00078081 | |||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||
| 著者 |
平井, 悠久
× 平井, 悠久 |
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| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 157691 | |||||
| 姓名 | Hirai, Hirohisa | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 工学系研究科マテリアル工学専攻 | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 学位の種別: 課程博士 | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 審査委員会委員 : （主査）東京大学准教授 喜多 浩之, 東京大学教授 霜垣 幸浩, 東京大学教授 鳥海 明, 東京大学教授 光田 好孝, 筑波大学准教授 矢野 裕司 | |||||
| 書誌情報 | 発行日 2018-03-22 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 値 | none | |||||
| 学位名 | ||||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||
| 学位 | ||||||
| 値 | doctoral | |||||
| 学位授与機関 | ||||||
| 学位授与機関名 | University of Tokyo(東京大学) | |||||
| 研究科・専攻 | ||||||
| 値 | Department of Materials Engineering, Graduate School of Engineering (工学系研究科マテリアル工学専攻) | |||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 2018-03-22 | |||||
| 学位授与番号 | ||||||
| 学位授与番号 | 12601甲第34783号 | |||||
| 学位記番号 | ||||||
| 値 | 博工第9307号 | |||||
