WEKO3
アイテム
Relaxation in artificial atomic structure and anisotropic migration on Si surface
https://doi.org/10.11501/3162861
https://doi.org/10.11501/31628610ac3407f-b247-4b74-8e07-920f63989f60
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
348053.pdf (6.3 MB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2013-05-17 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Relaxation in artificial atomic structure and anisotropic migration on Si surface | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| タイプ | thesis | |||||
| ID登録 | ||||||
| ID登録 | 10.11501/3162861 | |||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | シリコン表面上における人工原子構造の緩和と異方的原子拡散 | |||||
| 著者 |
Hitosugi, Taro
× Hitosugi, Taro |
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| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 11186 | |||||
| 姓名 | 一杉, 太郎 | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 著者所属 | 東京大学大学院工学系研究科超伝導工学専攻 | |||||
| 書誌情報 | 発行日 1999-03-29 | |||||
| 学位名 | ||||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||
| 学位 | ||||||
| 値 | doctoral | |||||
| 学位分野 | ||||||
| Engineering(工学) | ||||||
| 学位授与機関 | ||||||
| 学位授与機関名 | University of Tokyo (東京大学) | |||||
| 研究科・専攻 | ||||||
| Department of Superconductivity Research, Graduate School of Engineering(工学系研究科超伝導工学専攻) | ||||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 1999-03-29 | |||||
| 学位授与番号 | ||||||
| 学位授与番号 | 甲第14344 | |||||
| 学位記番号 | ||||||
| 博工第4470号 | ||||||
