WEKO3
アイテム
薄膜SOI MOSFETのデバイスパラメータ最適設計のためのモデリングと抽出方法に関する研究
https://doi.org/10.11501/3162751
https://doi.org/10.11501/316275129dc0edf-e90f-4b21-b184-0a2690e335d0
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
114235.pdf (9.4 MB)
|
|
| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2017-01-13 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 薄膜SOI MOSFETのデバイスパラメータ最適設計のためのモデリングと抽出方法に関する研究 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 薄膜電界効果トランジスタ | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 電気的特性パラメータ | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | デバイス構造パラメータ | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 抽出方法 | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| タイプ | thesis | |||||
| ID登録 | ||||||
| ID登録 | 10.11501/3162751 | |||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||
| 著者 |
伊藤, 浩
× 伊藤, 浩 |
|||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 17655 | |||||
| 姓名 | Ito, Hiroshi | |||||
| 書誌情報 | 発行日 1999-03-29 | |||||
| 日本十進分類法 | ||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||
| 主題 | 549.6 | |||||
| 学位名 | ||||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||
| 学位 | ||||||
| 値 | doctoral | |||||
| 学位分野 | ||||||
| Engineering (工学) | ||||||
| 学位授与機関 | ||||||
| 学位授与機関名 | University of Tokyo (東京大学) | |||||
| 研究科・専攻 | ||||||
| Department of Information and Communication Engineering, Graduate School of Engineering (工学系研究科電子情報工学専攻) | ||||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 1999-03-29 | |||||
| 学位授与番号 | ||||||
| 学位授与番号 | 甲第14235号 | |||||
| 学位記番号 | ||||||
| 博工第4361号 | ||||||
