研究速報 : 0.15μm部分空乏型SOI MOSFETにおける1V以下での基板浮遊効果

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アイテムタイプ	紀要論文 / Departmental Bulletin Paper
言語	日本語
その他のタイトル	Floating Body Effect in 0.15μm Partially Depleted SOI MOSFETs below 1V
著者	更屋拓哉高宮真デュエトトランゴック平本俊郎生駒俊明
著者別名	Saraya Takuya Takamiya Makoto Duyet Tran Ngoc Hiramoto Toshiro Ikoma Toshiaki
著者所属	東京大学生産技術研究所第3部集積デバイスエンジニアリング東京大学大規模集積システム設計教育研究センター集積デバイスエンジニアリング (株)テキサス・インスツルメンツ筑波研究開発センター概念エレクトロニクス
雑誌名	生産研究
巻	49
号	4
ページ	231 - 234
発行年	1997-04
ISSN	0037105X
書誌レコードID	AN00127075
日本十進分類法	549
出版者	東京大学生産技術研究所
出版者別名	Institute of Industrial Science, the University of Tokyo