研究解説 : 異方性エッチングによるSi極微細MOSFETの作製と室温におけるクーロンブロケード振動の観測

石黒 仁揮; 藤井 呂如; 橋口 原; 生駒 俊明; 平本 俊郎

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アイテムタイプ	紀要論文 / Departmental Bulletin Paper
言語	日本語
その他のタイトル	Fabrication of the Si Ultra-sm all MOSFET by Using Anisotropic Etching and Room Temperature Observation of the Coulomb Blockade Oscillations
著者	石黒仁揮藤井呂如橋口原生駒俊明平本俊郎
著者別名	Ishikuro Hiroki Fujii Tomoyuki Hashiguchi Gen Ikoma Toshiaki Hiramoto Toshiro
著者所属	東京大学生産技術研究所第3部電子工学新日本製鐵(株)エレクトロニクス研究所半導体電子工学 (株)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター電子工学東京大学大規模集積システム設計教育研究センター電子工学
抄録	結晶面方位に依存した異方性エッチングを用いて, 線幅制御された均―なSi量子細線をSIMOX基板上に作製するプロセスを開発し, 本方法を用いて作製したSi細線MOSFETで室温において単一電子現象であるクーロンブロッケード振動を観測することに成功した. この方法では, 量子細線の線幅はリソグラフィに依存せず, SIMOX基板のSi膜厚のみで決定されるので極めて制御性が良い. 最小線幅は10nm以下と見積もられる. Si細線MOSFETのクーロンブロッケード振動は, 77Kではより顕著になり, さらに低温では複数の鋭いピークに分裂した. 実験結果をもとにチャネル中の構造を検討し, 複数の量子ドットが弱くカップリングしていることを明らかにした.
雑誌名	生産研究
巻	49
号	3
ページ	174 - 177
発行年	1997-03
ISSN	0037105X
書誌レコードID	AN00127075
日本十進分類法	549
出版者	東京大学生産技術研究所
出版者別名	Institute of Industrial Science, the University of Tokyo

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