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  1. 134 生産技術研究所
  2. 生産研究
  3. 49
  4. 3
  1. 0 資料タイプ別
  2. 30 紀要・部局刊行物
  3. 生産研究
  4. 49
  5. 3

研究解説 : 異方性エッチングによるSi極微細MOSFETの作製と室温におけるクーロンブロケード振動の観測

http://hdl.handle.net/2261/53101
http://hdl.handle.net/2261/53101
e60afb09-fb42-4b5c-a249-86c944da846f
名前 / ファイル ライセンス アクション
sk049003009.pdf sk049003009.pdf (684.0 kB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2013-01-28
タイトル
タイトル 研究解説 : 異方性エッチングによるSi極微細MOSFETの作製と室温におけるクーロンブロケード振動の観測
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
タイプ departmental bulletin paper
その他のタイトル
その他のタイトル Fabrication of the Si Ultra-sm all MOSFET by Using Anisotropic Etching and Room Temperature Observation of the Coulomb Blockade Oscillations
著者 石黒, 仁揮

× 石黒, 仁揮

WEKO 31061

石黒, 仁揮

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藤井, 呂如

× 藤井, 呂如

WEKO 31062

藤井, 呂如

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橋口, 原

× 橋口, 原

WEKO 31063

橋口, 原

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生駒, 俊明

× 生駒, 俊明

WEKO 31064

生駒, 俊明

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平本, 俊郎

× 平本, 俊郎

WEKO 31065

平本, 俊郎

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著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 31066
姓名 Ishikuro, Hiroki
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 31067
姓名 Fujii, Tomoyuki
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 31068
姓名 Hashiguchi, Gen
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 31069
姓名 Ikoma, Toshiaki
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 31070
姓名 Hiramoto, Toshiro
著者所属
著者所属 東京大学生産技術研究所第3部 電子工学
著者所属
著者所属 新日本製鐵(株)エレクトロニクス研究所 半導体電子工学
著者所属
著者所属 (株)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター 電子工学
著者所属
著者所属 東京大学大規模集積システム設計教育研究センター 電子工学
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 結晶面方位に依存した異方性エッチングを用いて, 線幅制御された均―なSi量子細線をSIMOX基板上に作製するプロセスを開発し, 本方法を用いて作製したSi細線MOSFETで室温において単一電子現象であるクーロンブロッケード振動を観測することに成功した. この方法では, 量子細線の線幅はリソグラフィに依存せず, SIMOX基板のSi膜厚のみで決定されるので極めて制御性が良い. 最小線幅は10nm以下と見積もられる. Si細線MOSFETのクーロンブロッケード振動は, 77Kではより顕著になり, さらに低温では複数の鋭いピークに分裂した. 実験結果をもとにチャネル中の構造を検討し, 複数の量子ドットが弱くカップリングしていることを明らかにした.
書誌情報 生産研究

巻 49, 号 3, p. 174-177, 発行日 1997-03
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0037105X
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AN00127075
日本十進分類法
主題Scheme NDC
主題 549
出版者
出版者 東京大学生産技術研究所
出版者別名
Institute of Industrial Science, the University of Tokyo
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Ver.1 2021-03-02 04:46:52.324214
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