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研究解説 : 0.1μm薄膜SOI MOSFETのデバイス・プロセス設計と特性評価
http://hdl.handle.net/2261/52992
http://hdl.handle.net/2261/529920f26aac6-3d5f-41c8-80ca-d8c7909ae412
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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sk048010006.pdf (814.4 kB)
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Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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公開日 | 2013-01-21 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 研究解説 : 0.1μm薄膜SOI MOSFETのデバイス・プロセス設計と特性評価 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
その他のタイトル | ||||||
その他のタイトル | Device and Process Design and Characterization of 0.1μm Thin Film SOI MOSFETs | |||||
著者 |
高宮, 真
× 高宮, 真× 更屋, 拓哉× デュエト, トラン× 田中, 剛× 石黒, 仁揮× 平本, 俊郎× 生駒, 俊明 |
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著者別名 | ||||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
識別子 | 31311 | |||||
姓名 | Takamiya, Makoto | |||||
著者別名 | ||||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
識別子 | 31312 | |||||
姓名 | Saraya, Takuya | |||||
著者別名 | ||||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
識別子 | 31313 | |||||
姓名 | Ngoc, Duyet Tran | |||||
著者別名 | ||||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
識別子 | 31314 | |||||
姓名 | Tanaka, Tsuyoshi | |||||
著者別名 | ||||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
識別子 | 31315 | |||||
姓名 | Ishikuro, Hiroki | |||||
著者別名 | ||||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
識別子 | 31316 | |||||
姓名 | Hiramoto, Toshiro | |||||
著者別名 | ||||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
識別子 | 31317 | |||||
姓名 | Ikoma, Toshiaki | |||||
著者所属 | ||||||
値 | 東京大学生産技術研究所第3部 電子工学 | |||||
著者所属 | ||||||
値 | (株)テキサス・インスツルメンツ筑波研究開発センター 電子工学 | |||||
抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | 0.1μm薄膜SOI MOSFETの設計・試作を行った. チャネルイオン注入(BF2)のエネルギーをSOIと埋め込み酸化膜の界面にピークがくるよう設計することによりパンチスルーストッパの形成とチャネルのドープを1回のイオン注入で実現した. この簡便なプロセスにより均一ドープの場合と比較し短チャネル効果が抑制できることをシミュレーションにより示し, ゲート長0.095μmのSOI MOSFETの動作を確認した. | |||||
書誌情報 |
生産研究 巻 48, 号 10, p. 502-506, 発行日 1996-10 |
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ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
収録物識別子 | 0037105X | |||||
書誌レコードID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AN00127075 | |||||
日本十進分類法 | ||||||
主題Scheme | NDC | |||||
主題 | 549 | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | 東京大学生産技術研究所 | |||||
出版者別名 | ||||||
値 | Institute of Industrial Science, the University of Tokyo |