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  1. 134 生産技術研究所
  2. 生産研究
  3. 48
  4. 10
  1. 0 資料タイプ別
  2. 30 紀要・部局刊行物
  3. 生産研究
  4. 48
  5. 10

研究解説 : 0.1μm薄膜SOI MOSFETのデバイス・プロセス設計と特性評価

http://hdl.handle.net/2261/52992
http://hdl.handle.net/2261/52992
0f26aac6-3d5f-41c8-80ca-d8c7909ae412
名前 / ファイル ライセンス アクション
sk048010006.pdf sk048010006.pdf (814.4 kB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2013-01-21
タイトル
タイトル 研究解説 : 0.1μm薄膜SOI MOSFETのデバイス・プロセス設計と特性評価
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
タイプ departmental bulletin paper
その他のタイトル
その他のタイトル Device and Process Design and Characterization of 0.1μm Thin Film SOI MOSFETs
著者 高宮, 真

× 高宮, 真

WEKO 31304

高宮, 真

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更屋, 拓哉

× 更屋, 拓哉

WEKO 31305

更屋, 拓哉

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デュエト, トラン

× デュエト, トラン

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田中, 剛

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平本, 俊郎

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生駒, 俊明

× 生駒, 俊明

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生駒, 俊明

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著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 31311
姓名 Takamiya, Makoto
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 31312
姓名 Saraya, Takuya
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 31313
姓名 Ngoc, Duyet Tran
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 31314
姓名 Tanaka, Tsuyoshi
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 31315
姓名 Ishikuro, Hiroki
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 31316
姓名 Hiramoto, Toshiro
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 31317
姓名 Ikoma, Toshiaki
著者所属
著者所属 東京大学生産技術研究所第3部 電子工学
著者所属
著者所属 (株)テキサス・インスツルメンツ筑波研究開発センター 電子工学
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 0.1μm薄膜SOI MOSFETの設計・試作を行った. チャネルイオン注入(BF2)のエネルギーをSOIと埋め込み酸化膜の界面にピークがくるよう設計することによりパンチスルーストッパの形成とチャネルのドープを1回のイオン注入で実現した. この簡便なプロセスにより均一ドープの場合と比較し短チャネル効果が抑制できることをシミュレーションにより示し, ゲート長0.095μmのSOI MOSFETの動作を確認した.
書誌情報 生産研究

巻 48, 号 10, p. 502-506, 発行日 1996-10
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0037105X
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AN00127075
日本十進分類法
主題Scheme NDC
主題 549
出版者
出版者 東京大学生産技術研究所
出版者別名
Institute of Industrial Science, the University of Tokyo
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Ver.1 2021-03-02 04:45:14.061998
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