ログイン
言語:

WEKO3

  • トップ
  • ランキング
To
lat lon distance
To

Field does not validate



インデックスリンク

インデックスツリー

メールアドレスを入力してください。

WEKO

One fine body…

WEKO

One fine body…

アイテム

  1. 113 工学系研究科・工学部
  2. 38 化学システム工学専攻
  3. 1133810 学術雑誌論文
  1. 0 資料タイプ別
  2. 10 学術雑誌論文
  3. 014 自然科学

Effects of substrate heating and biasing on nanostructural evolution of nonepitaxially grown TiN nanofilms

http://hdl.handle.net/2261/18
http://hdl.handle.net/2261/18
f13fe070-d501-4600-ab03-6046f73c8827
名前 / ファイル ライセンス アクション
2003JVSTB_li.pdf 2003JVSTB_li.pdf (1.1 MB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2006-02-06
タイトル
タイトル Effects of substrate heating and biasing on nanostructural evolution of nonepitaxially grown TiN nanofilms
言語
言語 eng
キーワード
主題Scheme Other
主題 Titanium nitride
キーワード
主題Scheme Other
主題 Nanofilms
キーワード
主題Scheme Other
主題 Nanostructured materials
キーワード
主題Scheme Other
主題 Thin films
キーワード
主題Scheme Other
主題 Epitaxial growth
キーワード
主題Scheme Other
主題 Interfacial energy
キーワード
主題Scheme Other
主題 Crystal orientation
資源タイプ
資源 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
タイプ journal article
著者 Li, Tu-Qiang

× Li, Tu-Qiang

WEKO 22

Li, Tu-Qiang

Search repository
Noda, Suguru

× Noda, Suguru

WEKO 23

Noda, Suguru

Search repository
Okada, Fumio

× Okada, Fumio

WEKO 24

Okada, Fumio

Search repository
Komiyama, Hiroshi

× Komiyama, Hiroshi

WEKO 25

Komiyama, Hiroshi

Search repository
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 26
姓名 野田, 優
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 27
姓名 岡田, 文雄
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 28
姓名 小宮山, 宏
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 The effects of substrate heating and substrate biasing on the initial stage of nonepitaxial heterogeneous growth of TiN on Si(111) was studied by using high-resolution transmission electron microscopy. Although TiN films deposited at room temperature (RT) undergo a transition from continuous amorphous films to polycrystalline films with three-dimensional grains when the film thickness is increased from ~1 to 2 nm, crystallization occurred at a substrate temperature, T/sub s/=570 K, even for film thicknesses less than 1 nm. Compared with growth at T/sub s/=RT, at T/sub s/=570 K, the initial lateral grain size was only slightly larger, and the grains tended to be spherical and discontinuous at higher film thickness. At a substrate bias voltage, V/sub b/=-70 V, the grains were laterally larger and planar. At a film thickness of 50 nm, the films deposited at V/sub b/=-70 V showed the thermodynamically favored (200) preferred orientation, whereas the films deposited at T/sub s/=570 K showed (111) preferred orientation with a weak (200) peak.
書誌情報 Journal of vacuum science & technology. Second series. B, Microelectronics and nanometer structures, processing, measurement and phenomena

巻 21, 号 6, p. 2512-2516, 発行日 2003-11
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0734211X
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA10804928
フォーマット
内容記述タイプ Other
内容記述 application/pdf
日本十進分類法
主題Scheme NDC
主題 431.86
出版者
出版者 American Institute of Physics
戻る
0
views
See details
Views

Versions

Ver.1 2021-03-02 08:39:20.731289
Show All versions

Share

Mendeley Twitter Facebook Print Addthis

Cite as

エクスポート

OAI-PMH
  • OAI-PMH JPCOAR 2.0
  • OAI-PMH JPCOAR 1.0
  • OAI-PMH DublinCore
  • OAI-PMH DDI
Other Formats
  • JSON
  • BIBTEX

Confirm


Powered by WEKO3


Powered by WEKO3