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  1. 122 新領域創成科学研究科
  2. 11 基盤科学研究系 物質系専攻
  3. 1221125 修士論文(基盤科学研究系物質系専攻)
  1. 0 資料タイプ別
  2. 20 学位論文
  3. 025 修士論文

単結晶電界効果トランジスタの作製に向けたプロセスの最適化

http://hdl.handle.net/2261/20236
http://hdl.handle.net/2261/20236
23914800-cc48-4b59-99b7-355ec960d920
名前 / ファイル ライセンス アクション
K-2387.pdf 本文(fulltext) (7.6 MB)
K-01198-a.pdf 要旨(summary) (125.8 kB)
Item type 学位論文 / Thesis or Dissertation(1)
公開日 2011-08-08
タイトル
タイトル 単結晶電界効果トランジスタの作製に向けたプロセスの最適化
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源 http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec
タイプ thesis
その他のタイトル
その他のタイトル Process optimization for the fabrication of oxide single crystal field effect transistors
著者 西尾, 和記

× 西尾, 和記

WEKO 4869

西尾, 和記

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著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 4870
姓名 Nishio, Kazunori
著者所属
著者所属 東京大学大学院新領域創成科学研究科 基盤科学研究系 物質系専攻
書誌情報 発行日 2008-03-24
学位名
学位名 修士(科学)
学位
値 master
研究科・専攻
新領域創成科学研究科物質系専攻
学位授与年月日
学位授与年月日 2008-03-24
学位記番号
修創域第2387号
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Ver.1 2021-03-02 08:24:46.459110
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