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  1. 134 生産技術研究所
  2. 生産研究
  3. 45
  4. 12
  1. 0 資料タイプ別
  2. 30 紀要・部局刊行物
  3. 生産研究
  4. 45
  5. 12

特集4 : 研究解説 : リアクティブスパッタリング法によるセラミックス系薄膜の合成

http://hdl.handle.net/2261/49838
http://hdl.handle.net/2261/49838
75af219d-6fcd-4bbf-9d89-5f1104ea6107
名前 / ファイル ライセンス アクション
sk045012004.pdf sk045012004.pdf (757.8 kB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2012-11-15
タイトル
タイトル 特集4 : 研究解説 : リアクティブスパッタリング法によるセラミックス系薄膜の合成
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
タイプ departmental bulletin paper
その他のタイトル
その他のタイトル Preparation of Ceramic Thin Films by Reactive Sputtering
著者 宇都野, 太

× 宇都野, 太

WEKO 33203

宇都野, 太

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安井, 至

× 安井, 至

WEKO 33204

安井, 至

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著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 33205
姓名 UTSUNO, Futoshi
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 33206
姓名 YASUI, Itaru
著者所属
著者所属 東京大学生産技術研究所第4部 無機工業化学
著者所属
著者所属 東京大学生産技術研究所付属先端素材開発研究センター 先端素材設計
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 リアクティブスパッタリング法とは,スパッタリング中にターゲット元素と反応性ガスを反応させながら化合物薄膜を形成する方法である.当研究室では,この方法を用いて溶融法では作成不可能な組成系のガラス薄膜の合成を試みている.本稿では,リアクティブスパッタリング法によるセラミックス系材料の合成と,MoSi2ターゲットを用いて酸素雰囲気中でのリアクティブスパッタリング法によるMo-Si-O薄膜の合成と,スパッタリングにおける化合物ターゲットと金属ターゲットの関係について述べる.
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 小特集 先端素材開発研究センター
書誌情報 生産研究

巻 45, 号 12, p. 828-835, 発行日 1993-12-01
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0037105X
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AN00127075
日本十進分類法
主題Scheme NDC
主題 549
出版者
出版者 東京大学生産技術研究所
出版者別名
Institute of Industrial Science, the University of Tokyo
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Ver.1 2021-03-02 04:35:15.104388
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