WEKO3
アイテム
MOS形電界効果トランジスタの低周波雑音について
http://hdl.handle.net/2261/32181
http://hdl.handle.net/2261/32181dd97c6f2-ab71-4123-91fc-601561512415
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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sk021007002.pdf (725.2 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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| 公開日 | 2009-12-25 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | MOS形電界効果トランジスタの低周波雑音について | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | On Low Frequency Noise in MOS Field Effect Transistors | |||||
| 著者 |
安達, 芳夫
× 安達, 芳夫× 生駒, 俊明× 茅根, 直樹× 上村, 幸守 |
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| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 112788 | |||||
| 姓名 | ADACHI, Yoshio | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 112789 | |||||
| 姓名 | IKOMA, Toshiaki | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 112790 | |||||
| 姓名 | CHINONE, Naoki | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 112791 | |||||
| 姓名 | UEMURA, Yukimori | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 東京大学生産技術研究所 第3部 情報処理工学(半導体電子工学) | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 日立製作所 | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 東京大学生産技術研究所 | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 東京大学生産技術研究所 通信機器学 | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | MOS形電界効果トランジスタはSi-SiO2界面を利用したデバイスであるために,界面付近の表面単位の影響をうけて,低周波において1/f雑音とよばれるかなり大きな雑音を発生する.しかし,その発生機構はまだよく解明されていない.ここではその解明のために行なった実験結果(雑音のバイアス依存性や製作条件依存性など)とMcWhorterの雑音理論をMOSトランジスタに拡張した理論とを表面準位に焦点を合わせながら紹介する. | |||||
| 書誌情報 |
生産研究 巻 21, 号 7, p. 434-440, 発行日 1969-07-01 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0037105X | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00127075 | |||||
| フォーマット | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||
| 日本十進分類法 | ||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||
| 主題 | 500 | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 東京大学生産技術研究所 | |||||
| 出版者別名 | ||||||
| 値 | Institute of Industrial Science. University of Tokyo | |||||
