WEKO3
アイテム
超高真空一貫プロセスにおける化合物半導体のエッチング過程と再成長界面に関する研究
https://doi.org/10.11501/3140550
https://doi.org/10.11501/31405504820813d-9f29-4fdc-bf74-77c41cf15bac
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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| 公開日 | 2012-03-01 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 超高真空一貫プロセスにおける化合物半導体のエッチング過程と再成長界面に関する研究 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| タイプ | thesis | |||||
| ID登録 | ||||||
| ID登録 | 10.11501/3140550 | |||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||
| 著者 |
角屋, 豊
× 角屋, 豊 |
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| 著者所属 | ||||||
| 著者所属 | 工学系研究科電子工学専攻 | |||||
| 書誌情報 | 発行日 1996-07-11 | |||||
| 学位名 | ||||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||
| 学位 | ||||||
| 値 | doctoral | |||||
| 学位分野 | ||||||
| Engineering (工学) | ||||||
| 学位授与機関 | ||||||
| 学位授与機関名 | University of Tokyo (東京大学) | |||||
| 研究科・専攻 | ||||||
| Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering (工学系研究科電子工学専攻) | ||||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 1996-07-11 | |||||
| 学位授与番号 | ||||||
| 学位授与番号 | 乙第12949号 | |||||
| 学位記番号 | ||||||
| 第12949号 | ||||||