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藤原, 達記

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気相拡散を用いた選択MOVPEによる半極性面上InGaN/GaN多重量子井戸モノリシック多色発光LEDの作製

http://hdl.handle.net/2261/51315

	名前 / ファイル	ライセンス	アクション
	37096500.pdf (8.1 MB)

Item type

学位論文 / Thesis or Dissertation(1)

公開日

2012-03-30

タイトル

気相拡散を用いた選択MOVPEによる半極性面上InGaN/GaN多重量子井戸モノリシック多色発光LEDの作製

言語

jpn

資源タイプ

資源

http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec

タイプ

thesis

その他のタイトル

Fabrication of monolithic multi-color LEDs of semi-polar InGaN/GaN MQWs with Selective-Area MOVPE based on vapor-phase-diffusion

著者

藤原, 達記

著者所属

東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

Abstract

内容記述タイプ

Abstract

内容記述

本研究では, 近年, 発光デバイスとしての発展が目覚ましいInGaN系LEDについて, 新たな生産技術の提案を行うものである. 昨今の発光デバイスの発展はまさに日進月歩であり, より低価格で高品質な発光デバイスの登場が待ち望まれている. 特にLEDは近年急速に普及しつつある発光デバイスである. まず, 従来の白熱電球に比べて非常に消費電力が小さく, その簡単な構造から長寿命というメリットも併せ持っている. 消費電力が非常に小さいことから, 環境保全にも大いに貢献できる次世代発光デバイスである. しかし, このInGaN系LEDには解決されていない問題を抱えている. InGaNは, 混晶内のIn組成比を変化させることで, 理論上では近紫外から遠赤外までの波長で発光が可能である. しかし, 現在の技術では青色から緑色程度までしか高輝度なLEDは実現しておらず, 早期のInGaN系LEDの長波長化が望まれている. そこで本研究では, InGaN系LED成長において, 選択成長と{11-22}半極性面成長という2つの成長技術を用いることで新たなInGaN系LED作製手法の提案を行った. 選択成長技術とは, 気相拡散効果によって同一サンプル上で異なる発光波長を持ったLEDを成長させることができるというものである. つまり, モノリシックに多色発光のLEDを成長させることができるので, 非常に生産性の高いマルチカラーLEDの実現が可能になる. これまで本研究室では塩田, 富田が階段状マスクを用いた選択成長でマルチカラーLEDの実現を試みてきた. しかしながらc面でのInGaN/GaN MQW成長ではQCSEによって長波長化が妨げられていた[ ]. そこで, 本研究では新たに{11-22}半極性面成長を導入することでQCSEを抑制し, 従来のLEDよりも長波長かつ, 高効率な発光を目指した. 本研究の目的が達成されることで, 従来よりもLEDの生産コストが下がり, より世間に普及することで省エネルギーや環境保全など, 社会に対して大きく貢献できるものであると考えられる.

書誌情報

発行日 2011-03-24

日本十進分類法

主題

549

主題Scheme

NDC

学位名

修士(工学)

学位

値

master

研究科・専攻

工学系研究科電気系工学専攻

学位授与年月日

2011-03-24

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2021-03-02 08:07:56.848473

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気相拡散を用いた選択MOVPEによる半極性面上InGaN/GaN多重量子井戸モノリシック多色発光LEDの作製

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