WEKO3
アイテム
気相拡散を用いた選択MOVPEによる半極性面上InGaN/GaN多重量子井戸モノリシック多色発光LEDの作製
http://hdl.handle.net/2261/51315
http://hdl.handle.net/2261/5131501c1ef60-3b26-4ae1-9247-ec98d0f12766
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
37096500.pdf (8.1 MB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-03-30 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 気相拡散を用いた選択MOVPEによる半極性面上InGaN/GaN多重量子井戸モノリシック多色発光LEDの作製 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| 資源タイプ | thesis | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Fabrication of monolithic multi-color LEDs of semi-polar InGaN/GaN MQWs with Selective-Area MOVPE based on vapor-phase-diffusion | |||||
| 著者 |
藤原, 達記
× 藤原, 達記 |
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| 著者所属 | ||||||
| 値 | 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 | |||||
| Abstract | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 本研究では, 近年, 発光デバイスとしての発展が目覚ましいInGaN系LEDについて, 新たな生産技術の提案を行うものである. 昨今の発光デバイスの発展はまさに日進月歩であり, より低価格で高品質な発光デバイスの登場が待ち望まれている. 特にLEDは近年急速に普及しつつある発光デバイスである. まず, 従来の白熱電球に比べて非常に消費電力が小さく, その簡単な構造から長寿命というメリットも併せ持っている. 消費電力が非常に小さいことから, 環境保全にも大いに貢献できる次世代発光デバイスである. しかし, このInGaN系LEDには解決されていない問題を抱えている. InGaNは, 混晶内のIn組成比を変化させることで, 理論上では近紫外から遠赤外までの波長で発光が可能である. しかし, 現在の技術では青色から緑色程度までしか高輝度なLEDは実現しておらず, 早期のInGaN系LEDの長波長化が望まれている. そこで本研究では, InGaN系LED成長において, 選択成長と{11-22}半極性面成長という2つの成長技術を用いることで新たなInGaN系LED作製手法の提案を行った. 選択成長技術とは, 気相拡散効果によって同一サンプル上で異なる発光波長を持ったLEDを成長させることができるというものである. つまり, モノリシックに多色発光のLEDを成長させることができるので, 非常に生産性の高いマルチカラーLEDの実現が可能になる. これまで本研究室では塩田, 富田が階段状マスクを用いた選択成長でマルチカラーLEDの実現を試みてきた. しかしながらc面でのInGaN/GaN MQW成長ではQCSEによって長波長化が妨げられていた[ ]. そこで, 本研究では新たに{11-22}半極性面成長を導入することでQCSEを抑制し, 従来のLEDよりも長波長かつ, 高効率な発光を目指した. 本研究の目的が達成されることで, 従来よりもLEDの生産コストが下がり, より世間に普及することで省エネルギーや環境保全など, 社会に対して大きく貢献できるものであると考えられる. | |||||
| 書誌情報 | 発行日 2011-03-24 | |||||
| 日本十進分類法 | ||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||
| 主題 | 549 | |||||
| 学位名 | ||||||
| 学位名 | 修士(工学) | |||||
| 学位 | ||||||
| 値 | master | |||||
| 研究科・専攻 | ||||||
| 値 | 工学系研究科電気系工学専攻 | |||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 2011-03-24 | |||||
