WEKO3
アイテム
Kinetic study of interfacial SiO2 scavenging in HfO2 gate stack on Si substrate
https://doi.org/10.15083/00073053
https://doi.org/10.15083/00073053e59a7d40-7b7e-4d61-9341-b1db4942ef6c
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
A32151_summary.pdf (171.3 kB)
|
|
|
|
A32151_abstract.pdf (139.9 kB)
|
|
|
|
A32151_review.pdf (115.4 kB)
|
|
| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2017-10-20 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Kinetic study of interfacial SiO2 scavenging in HfO2 gate stack on Si substrate | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| タイプ | thesis | |||||
| ID登録 | ||||||
| ID登録 | 10.15083/00073053 | |||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Si基板上HfO2ゲートスタックにおけるSiO2界面層のスカベンジング現象に関する速度論的研究 | |||||
| 著者 |
李, 秀妍
× 李, 秀妍 |
|||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 143430 | |||||
| 姓名 | Li, Xiuyan | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 著者所属 | 工学系研究科マテリアル工学専攻 | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 学位の種別: 課程博士 | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 審査委員会委員 : （主査）東京大学教授 鳥海 明, 東京大学教授 山口 周, 東京大学准教授 溝口 照康, 東京大学准教授 喜多 浩之, 東北大学教授 丹羽 正昭 | |||||
| 書誌情報 | 発行日 2015-09-25 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 値 | none | |||||
| 学位名 | ||||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||
| 学位 | ||||||
| 値 | doctoral | |||||
| 学位授与機関 | ||||||
| 学位授与機関名 | University of Tokyo(東京大学) | |||||
| 研究科・専攻 | ||||||
| Department of Materials Engineering, Graduate School of Engineering (工学系研究科マテリアル工学専攻) | ||||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 2015-09-25 | |||||
| 学位授与番号 | ||||||
| 学位授与番号 | 12601甲第32151号 | |||||
| 学位記番号 | ||||||
| 博工第8689号 | ||||||
