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  1. 113 工学系研究科・工学部
  2. 34 マテリアル工学専攻
  3. 1133420 博士論文(マテリアル工学専攻)
  1. 0 資料タイプ別
  2. 20 学位論文
  3. 021 博士論文

Kinetic study of interfacial SiO2 scavenging in HfO2 gate stack on Si substrate

https://doi.org/10.15083/00073053
https://doi.org/10.15083/00073053
e59a7d40-7b7e-4d61-9341-b1db4942ef6c
名前 / ファイル ライセンス アクション
A32151_summary.pdf A32151_summary.pdf (171.3 kB)
A32151_abstract.pdf A32151_abstract.pdf (139.9 kB)
A32151_review.pdf A32151_review.pdf (115.4 kB)
Item type 学位論文 / Thesis or Dissertation(1)
公開日 2017-10-20
タイトル
タイトル Kinetic study of interfacial SiO2 scavenging in HfO2 gate stack on Si substrate
言語
言語 eng
資源タイプ
資源 http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec
タイプ thesis
ID登録
ID登録 10.15083/00073053
ID登録タイプ JaLC
その他のタイトル
その他のタイトル Si基板上HfO2ゲートスタックにおけるSiO2界面層のスカベンジング現象に関する速度論的研究
著者 李, 秀妍

× 李, 秀妍

WEKO 143429

李, 秀妍

Search repository
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 143430
姓名 Li, Xiuyan
著者所属
著者所属 工学系研究科マテリアル工学専攻
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 学位の種別: 課程博士
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 審査委員会委員 : (主査)東京大学教授 鳥海 明, 東京大学教授 山口 周, 東京大学准教授 溝口 照康, 東京大学准教授 喜多 浩之, 東北大学教授 丹羽 正昭
書誌情報 発行日 2015-09-25
著者版フラグ
値 none
学位名
学位名 博士(工学)
学位
値 doctoral
学位授与機関
学位授与機関名 University of Tokyo(東京大学)
研究科・専攻
Department of Materials Engineering, Graduate School of Engineering (工学系研究科マテリアル工学専攻)
学位授与年月日
学位授与年月日 2015-09-25
学位授与番号
学位授与番号 12601甲第32151号
学位記番号
博工第8689号
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Ver.1 2021-03-01 18:17:39.224567
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