WEKO3
アイテム
Stress and quality engineering of GaN growth on Si with in-situ wafer curvature analysis
https://doi.org/10.15083/00007889
https://doi.org/10.15083/0000788937caa625-22ab-4db3-a1c4-00650fd1db96
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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A31135.pdf (9.8 MB)
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A31135_abstract.pdf (190.6 kB)
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A31135_review.pdf (281.8 kB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2016-08-01 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Stress and quality engineering of GaN growth on Si with in-situ wafer curvature analysis | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| タイプ | thesis | |||||
| ID登録 | ||||||
| ID登録 | 10.15083/00007889 | |||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | In situウエハ曲率解析によるシリコン上窒化ガリウム成長における応力・結晶品位の制御 | |||||
| 著者 |
劉, 才
× 劉, 才 |
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| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 140800 | |||||
| 姓名 | Liu, Cai | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 著者所属 | 工学系研究科先端学際工学専攻 | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 学位の種別: 課程博士 | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 審査委員会委員 : (主査)東京大学教授 中野 義昭, 東京大学教授 岡田 至崇, 東京大学特任教授 藤井 克司, 東京大学准教授 杉山 正和, 東京大学准教授 種村 拓夫 | |||||
| 書誌情報 | 発行日 2014-11-20 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 値 | ETD | |||||
| 学位名 | ||||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||
| 学位 | ||||||
| 値 | doctoral | |||||
| 学位授与機関 | ||||||
| 学位授与機関名 | University of Tokyo(東京大学) | |||||
| 研究科・専攻 | ||||||
| Department of Advanced Interdisciplinary Studies, Graduate School of Engineering (工学系研究科先端学際工学専攻) | ||||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 2014-11-20 | |||||
| 学位授与番号 | ||||||
| 学位授与番号 | 12601甲第31135号 | |||||
| 学位記番号 | ||||||
| 博工第8456号 | ||||||
